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由Brite,Open-Silicon和HiSilicon共同设计的无线网络芯片已成功推出。

美国海硅半导体有限公司,美国Brite Semiconductor(上海)有限公司和Open-Silicon宣布已共同完成无线网络芯片的设计,并首次成功采用台积电的65nm工艺。

此片上系统SoC是在2009年9月设计和发布的。

Brite从最初的网表交付到磁带输出(Taepout)的整个过程仅用了4个月,就完全满足了HiSilicon时间表的紧迫需求。

目前,工程样品已经从工厂运出,并已在HiSilicon实验室中进行了测试和鉴定。

测试结果表明,改进后的芯片在所有应用条件下的性能均符合要求。

该SoC项目的设计非常复杂。

它具有超过1亿门的规模,超过8个内核,高达800MHz的高速时钟系统和3.125G的高速传输接口。

该项目由上海Brite半导体组织和执行,其工程团队来自不同的地方,包括印度的班加罗尔,加利福尼亚的硅谷和中国的上海。

三位合伙人一致认为,紧密而和谐的合作,清晰合理的计划,出色和负责任的项目管理以及严格和完美的项目执行是成功完成这一紧急项目的主要因素。

“通过这次65纳米的项目合作,Brite展示了如何使用先进的技术,高效的项目管理以及与客户的友好协作来完成高性能SoC标准ASIC的实现”。

总裁兼Brite首席执行官Dr.春星说:“ Brite再次向客户证明了其控制项目进度,帮助客户缩短产品设计周期并提高其产品的市场竞争力的能力”。

“尽管有如此复杂而庞大的高端芯片在北美并不罕见,但很少能在4个月内完成设计并成功完成流片,” Open-Silicon首席执行官Naveed Sherwani说。

“ Open-Silicon和Brite Semiconductor将继续为客户提供低成本和高可靠性。

性ASIC设计服务”。

“ Brite Semiconductor和Open-Silicon严格的专业合作态度及其先进的设计流程使该项目在时间和质量上成功实现了一次成功的一次性试验。

这次成功再次证明了他们的实力,并赢得了同行的进一步尊重”。

海思半导体副总裁何廷波对此合作感到非常满意,并给予了相关评价。

同时,他希望双方能够进一步加强接触,加深合作。

关于Brite Semiconductor:Brite Semiconductor Co.,Ltd.是一家无工厂ASIC设计服务公司,致力于为所有电子产品客户提供最具成本效益,可控制和可靠的定制ASIC解决方案。

Brite Semiconductor的定位是提供高端设计服务和90nm以下的交钥匙服务,为客户提供从源代码或网表到成品芯片的一站式服务。

基于客户至上和开放服务理念的宗旨,Brite Semiconductor为客户提供完整的芯片解决方案,包括晶圆制造商,工艺节点,IP,后端设计,封装和测试解决方案以及最终产品解决方案。

有关更多信息,请访问www.britesemi.com或致电86-21-50277866。

关于Open-Silicon:Open-Silicon是一家领先的半导体公司,致力于为可预测,可靠和灵活的定制IC开发设定新的标准。

Open-Silicon可以为全球客户提供先进的ASIC和SoC设计,成熟的开放市场IP集成以及高质量的芯片制造服务。

通过使用MAX Technologies技术,Open-Silicon继续在低功耗设计,高性能处理器构造,多样性管理和低成本测试中保持其技术优势,并帮助客户在市场上取得成功。

Open-Silicon于2008年被全球半导体联盟(GSA)认可,并被选为最受尊敬的私人半导体公司。

有关更多信息,请访问www.open-silicon.com或致电408-240-5700。

关于海思半导体有限公司海思半导体是一家半导体设计公司,为客户提供用于通信网络,无线终端和数字媒体的芯片和解决方案。

该公司总部位于深圳,并在北京,上海,硅谷和瑞典设有设计办事处。

单元。

在通信网络领域,海思可以为固定网络,光网络,无线网络,数据通信和网络安全提供串行芯片。